问题标题：
【求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多】
问题描述：
求半导体物理中的杂质电离问题
n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多少?
师军回答：
看刘恩科的书
沈申生回答：
我看过了不确定对不对能给我计算过程吗急需谢谢了
师军回答：
不知道你用的是第几版的，利用第四版65页3-54式可以求而且标明了全部电离是在90%左右，我公式难打，你就自己看一下吧！
点击显示
物理推荐
热门物理推荐