砷化镓（GaAs）属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。

试回答：

（1）As的核外电子排布式为 。

（2）砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 。

（3）下列说法正确的是 （填字母）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能：As＞Ga

C．电负性：As＞Ga D．砷化镓晶体中含有配位键

E．半导体GaP与GaAs互为等电子体

（4）砷化镓是将（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。

AsH3的空间形状为 ，（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为 。

（5）AsH3沸点比NH3低，其主要原因是 。