霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图甲所示，在一矩形半导体薄片的E、F间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在C、D间出现电压UCD，这个现象称为霍尔效应，UCD称为霍尔电压，且满足UCD=kIBd，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数，某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数．

（1）若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图所示，该同学用电压表测量UCD时，应将电压表的“+”接线柱与___（填“C”或“D”）端通过导线相连．

（2）已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UCD值，记录数据，描点作图，画出UCD-I图线，如图乙所示，利用图线求出该材料的霍尔系数为___×10-3V•m•A-1•T-1（保留2位有效数字）．