问题标题：
AIN是重要的半导体材料，Ga（镓）、P、As都是形成化合物半导体材料的重要元素．（1）As基态原子的电子占据了___个能层，最高能级的电子排布式为___．和As位于同一周期，且未成对电子数
问题描述：
AIN是重要的半导体材料，Ga（镓）、P、As都是形成化合物半导体材料的重要元素．
（1）As基态原子的电子占据了___个能层，最高能级的电子排布式为___．和As位于同一周期，且未成对电子数也相同的元素还有___种．
（2）元素周期表中，与P紧邻的4种元素中电负性最大的是___（填元素符号）．Si、P、S三种元素的第一电离能由大到小的顺序是___．
（3）NH3、PH3、AsH3三者的沸点由高到低的顺序是___，原因是___．
（4）白磷是由P4分子形成的分子晶体，P4分子呈正四面体结构，P原子位于正四面体的四个顶点，其中P原子的杂化轨道类型为___．白磷易溶于CS2，难溶于水，原因是___．
（5）采用GaxIn1-xAs（镓铟砷）等材料，可提高太阳能电池的效率．GaxIn1-xAs立方体形品胞中每个顶点和面心都有一个原子，晶胞内部有4个原子，则该品胞中含有___个砷原子．
（6）AIN晶体的晶胞结构与金刚石相似（如图），设晶胞的边长为acm，NA表示阿伏加德罗常数，则该品体的密度为___g•cm-3．
楼建勇回答：
（1）基态As原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p3，含有4个能层，最高能级的电子排布式为4p3，和砷位于同一周期，且未成对电子数也相同的元素，它们的外围电子排布式为：3d34s2、3d74s2，分别为钒、钴两种，
故答案为：4；4p3；2；
（2）在元素周期表中，同周期中从左向右，元素的非金属性增强，电负性增强，同主族元素从上向下，元素的非金属性减弱，电负性减弱，在元素周期表中，与P紧邻的4种元素中电负性最大的是N．
同一周期元素，元素的第一电离能随着原子序数增大而增大，但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素，Si、P、S元素处于同一周期且原子序数逐渐增大，P处于第VA族，所以第一电离能P>S>Si，
故答案为：N；P>S>Si；
（3）NH3分子间存在氢键，氨的沸点比同主族元素的氢物高，AsH3和PH3分子间不存在氢键，分子量大的氢化物分子间作用力大，沸点高，故沸点：NH3>AsH3>PH3，
故答案为：NH3>AsH3>PH3；NH3分子间存在氢键，氨的沸点比同主族元素的氢物高，AsH3和PH3分子间不存在氢键，分子量大的氢化物分子间作用力大，沸点高；
（4）P4分子为正四面体构型，P4分子中N原子形成3个σ键、含有1对孤对电子，杂化轨道数目为4，P原子采取sp3杂化．
相似相溶原理是指由于极性分子间的电性作用，使得极性分子组成的溶质易溶于极性分子组成的溶剂，难溶于非极性分子组成的溶剂；非极性分子组成的溶质易溶于非极性分子组成的溶剂，难溶于极性分子组成的溶剂，P4和CS2是非极性分子，H2O是极性分子，根据相似相溶的原理，P4易溶于CS2，难溶于水，
故答案为：sp3；P4和CS2是非极性分子，H2O是极性分子，根据相似相溶的原理，P4易溶于CS2，难溶于水；
（5）GaxIn（1-x）As立方体形晶胞中每一个顶点和面心都有一个原子，晶胞内部有4个原子，晶胞含有总数为4+8×18
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