问题标题：
单晶硅是信息产业中重要的基础材料，通常用炭在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁，铝，硼，磷等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450-500℃），四氯化硅经提纯后用氢气
问题描述：
单晶硅是信息产业中重要的基础材料，通常用炭在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁，铝，硼，磷等杂质）
，粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450-500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅，以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图．
相关信息如下：
①四氯化硅遇水极易水解；
②硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；
③有关物质的物理常数见下表：
| 物质 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
| 沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | - | 315 | - |
| 熔点/℃ | -70.0 | -107.2 | - | - | - |
| 升华温度/℃ | - | - | 180 | 300 | 162 |
（1）写出装置A中发生反应的离子方程式MnO2+4H++2Cl-
MnO2+4H++2Cl-
．
（2）装置A中g管的作用是______，装置B中的试剂是______，装置C中的试剂是______，装置E中h瓶需要冷却的理由是______．
（3）干燥管F的作用______．
何以刚回答：
由制备四氯化硅的实验流程可知，A中发生二氧化锰与浓盐酸的反应生成氯气，B中饱和实验水除去HCl，C装置中浓硫酸干燥氯气，D中发生Si与氯气的反应生成四氯化硅，由信息可知，四氯化硅的沸点低，则E装置冷却可收集四氯化硅，F可防止空气中的水进入，最后处理含氯气的尾气，
（1）装置A是氯气发生装置，A中的离子方程式为MnO2+4H++2Cl- △ .
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