问题标题：
【求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率在网上可以查到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.拿这个数据乘以电子】
问题描述：
求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率
在网上可以查到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).
MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.
拿这个数据乘以电子迁移率,再乘以W/L,W为绝缘层宽度,L为绝缘层长度,数量级仍在10^7,乘以栅极输入电压以后,漏极输出电流在10^8数量级,这显然是不可能的,怀疑是电子的迁移率数据不对.
求问啊
潘红回答：
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级,氧化层厚度算20nm的话,那...
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