字典翻译 问答 初中 物理 在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁
问题标题:
在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁
问题描述:

在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+()

A.在电场中的加速度之比为1:1

B.在磁场中运动的半径之比为 3:1

C.在磁场中转过的角度之比为1:2

D.离开电场区域时的动能之比为1:3

蔡鸿明回答:
  A、两个离子的质量相同,其带电量是1:3的关系,所以由a=qUmd
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